[实用新型]可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶无效

专利信息
申请号: 200720149143.4 申请日: 2007-05-15
公开(公告)号: CN201068469Y 公开(公告)日: 2008-06-04
发明(设计)人: 张允新 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 刘芳
地址: 100176北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型涉及一种可提高靶材利用率,延长靶材使用寿命的磁控溅射靶,适用于物理气象沉积磁控溅射真空镀膜技术。所述磁控溅射靶包括靶材、靶背板、绝缘垫、靶阴极框架、阴极挡板,磁铁和导磁极靴调整垫,可移动的磁铁和导磁调整垫可调整靶材表面磁场的均匀性和等离子体的均匀性,使等离子体刻蚀靶材的速率降低,使靶材端部和中间部位被刻蚀之差减小,从而提高靶材利用率,大幅度降低生产产品的成本,节约生产资源,提高产品竞争力。
搜索关键词: 可延长 使用寿命 平面 磁控溅射
【主权项】:
1.一种可延长靶材使用寿命的平面磁控溅射靶,包括依次叠设的绝缘垫、靶阴极框架、一个或一个以上并排设置的磁铁;其特征在于:还包括一个或一个以上的导磁极靴调整垫,所述导磁极靴调整垫设置在所述绝缘垫与所述磁铁之间。
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