[实用新型]一种中子管二次抑制极抑制电压产生电路无效

专利信息
申请号: 200720031121.8 申请日: 2007-01-29
公开(公告)号: CN201018711Y 公开(公告)日: 2008-02-06
发明(设计)人: 汪永安;张德民;杨联会;董谦;杨连会;石丽云 申请(专利权)人: 西安奥华电子仪器有限责任公司
主分类号: H05H3/06 分类号: H05H3/06;G21G4/02
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 代理人: 王少文
地址: 710061陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型涉及一种中子管二次抑制极抑制电压产生电路,包括并联在一起的稳压元件和抑制电阻,其一端与中子管的加速极及中子管的靶极的高压电源负端连接,另一端与中子管的靶极连接,稳压元件可采用稳压二极管、瞬态浪涌二极管或压敏电阻等两端稳压元件。本实用新型解决了现有抑制电压产生电路无法适应中子管多工作状态的技术问题,无论中子管工作于直流工作状态还是脉冲工作状态,也无论脉冲工作时的占空比是多少,均可为抑制电极提供稳定不变的最佳抑制电压,保证了良好的二次电子抑制效果,且抑制电压不会破坏靶极与加速极之间的绝缘,同时靶压损失很小。
搜索关键词: 一种 中子 二次 抑制 电压 产生 电路
【主权项】:
1.一种中子管二次抑制极抑制电压产生电路,其一端与中子管(9)的加速极(2)及高压电源(8)负端连接,另一端与中子管(9)的靶极(1)连接,其特征在于:所述中子管二次抑制极抑制电压产生电路包括一个稳压元件(4)。
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