[发明专利]具有凹陷沟道结构的半导体器件及其制造方法

摘要

一种具有凹陷沟道结构的半导体器件，其包括在半导体衬底的有源区域中的栅极形成区域中所形成的凹陷；在半导体衬底中形成的绝缘层，其定义有源区域并在沟道的宽度方向施加张力应力；形成于绝缘层表面中的应力源，其在沟道的高度方向施加一压缩应力；形成于有源区域内的凹陷上的栅极；以及形成于栅极两侧的有源区域表面中的源极/漏极。

主权项

1.一种半导体器件，其包含有：在有源区域具有凹陷的半导体衬底；隔离结构，形成在所述半导体衬底中并定义所述有源区域，该隔离结构在沟道的宽度方向施加第一类型的应力；应力源，其至少部分地形成于所述隔离结构内，并被配置为在沟道的高度方向施加第二类型的应力；栅极，其至少部分地形成于所述有源区域中的凹陷内；以及第一和第二掺杂区域，分别形成在所述栅极的第一和第二侧。