[发明专利]层叠集成电路及半导体元件

摘要

一种层叠集成电路，包括：第一半导体裸片，具有前侧和后侧，第一半导体裸片包含元件；硅直通孔，穿过衬底和第一半导体裸片的前侧绝缘层；层间介电层，位于第一半导体裸片的前侧上，层间介电层具有实体连接硅直通孔的前侧的接触插塞和位于接触插塞与硅直通孔之间的界面；金属间介电层，位于层间介电层上，金属间介电层具有电性连接接触插塞的接合垫；第二半导体裸片，在接合垫上，连接第一半导体裸片；金属层，位于第一半导体裸片的背面上，该金属层包括：背面介电层，位于该背面之上；以及蚀刻停止层，位于背面介电层的上方；金属层具有电性连接该硅直通孔的背面的背面接触垫。本发明可解决热耗散问题，为设计半导体装置提供更多弹性。

主权项

1.一种层叠集成电路，包括：第一半导体裸片，具有前侧和后侧，且所述第一半导体裸片包含一个或多个元件；一个或多个硅直通孔，穿过衬底和所述第一半导体裸片的前侧绝缘层；层间介电层，位于所述第一半导体裸片的前侧上，所述层间介电层具有界面和至少一个接触插塞，所述至少一个接触插塞实体连接所述一个或多个硅直通孔的前侧，所述界面位于所述至少一个接触插塞和所述一个或多个硅直通孔之间；金属间介电层，位于所述层间介电层上，其中所述金属间介电层具有至少一个接合垫，所述至少一个接合垫电性连接所述至少一个接触插塞；第二半导体裸片，位于所述至少一个接合垫上，连接所述第一半导体裸片；金属层，位于所述第一半导体裸片的背面上，其中所述金属层包括：至少一个背面介电层，位于所述背面之上；以及蚀刻停止层，位于所述至少一个背面介电层其中之一的上方；其中所述金属层具有至少一个背面接触垫，所述至少一个背面接触垫电性连接所述一个或多个硅直通孔的背面。