[发明专利]在E2PROM中生长高压和低压器件的方法

摘要

本发明公开了E²PROM中生长高压和低压器件的方法，利用在E²PROM中高压器件采用两重栅而低压器件是单层栅的特性，在高压区的栅刻蚀和低压区的栅刻蚀时形成不同的氧化层余量，最后加入自对准硅化物阻挡层的形成和刻蚀、以及自对准硅化物的形成两个步骤，实现在高压器件采用非自对准硅化物工艺，而低压器件采用自对准硅化物工艺。大大降低了高压器件的面积，提高高压器件的性能。

主权项

1. 一种在E2PROM中生长高压和低压器件的方法，包括以下步骤：第一步，形成隔离区和有源区；第二步，高低压阱注入；第三步，浮栅淀积和刻蚀；第四步，氧化硅—氮化硅—氧化硅层的生长和刻蚀；第五步，高压栅氧化层形成；第六步，低压区高压氧化层去除；第七步，低压栅氧化层形成；第八步，第二层多晶硅即控制栅的淀积；第九步，自对准双层多晶硅栅刻蚀；第十步，控制栅刻蚀；第十一步，侧墙的形成和刻蚀；其特征在于，还包括第十二步，自对准硅化物阻挡层的形成和刻蚀；第十三步，自对准硅化物的形成；且第九步中，自对准双层多晶硅栅刻蚀的余量在100埃以上300埃以下，第十步中控制栅刻蚀的余量在0至20埃之间。