[发明专利]晶体管、像素电极基板、电光装置、电子装置和半导体元件的制造方法无效

专利信息
申请号: 200710091073.6 申请日: 2007-04-06
公开(公告)号: CN101051671A 公开(公告)日: 2007-10-10
发明(设计)人: 守谷壮一 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40;H01L29/786;H01L29/41;H01L29/417;H01L29/423;H01L27/28;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/84
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 陈海红;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明以比较低的成本提供关断电流低、导通关断比大的有机半导体晶体管。本发明的半导体器件包含:配置在基板上的多个电极(105);配置在上述电极的相互间的有机半导体层(108);分别配置在上述有机半导体层的两侧的第1和第2栅电极(102、110);以及配置在上述有机半导体层与上述第1和第2栅电极的相互间的栅绝缘层(103、109),上述第1和第2栅电极互相连接,利用印刷法形成两栅电极中的至少一个电极。
搜索关键词: 晶体管 像素 电极 电光 装置 电子 半导体 元件 制造 方法
【主权项】:
1.一种晶体管,其特征在于,包含:形成于基体的上方的第1栅电极;形成于上述第1栅电极的上方的第2栅电极;形成于上述第1栅电极的上方的源电极;形成于上述第1栅电极的上方的漏电极;以及半导体膜,其覆盖上述源电极的至少一部分和上述漏电极的至少一部分,配置在上述第1栅电极与上述第2栅电极之间;上述源电极具备第1基部和在与上述第1基部的延伸方向交叉的方向上突出的至少一个第1突出部;上述漏电极具备在从第2基部向上述第1基部的方向突出的至少一个第2突出部。
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