[发明专利]晶体管、像素电极基板、电光装置、电子装置和半导体元件的制造方法无效
申请号: | 200710091073.6 | 申请日: | 2007-04-06 |
公开(公告)号: | CN101051671A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
发明(设计)人: | 守谷壮一 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40;H01L29/786;H01L29/41;H01L29/417;H01L29/423;H01L27/28;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/84 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明以比较低的成本提供关断电流低、导通关断比大的有机半导体晶体管。本发明的半导体器件包含:配置在基板上的多个电极(105);配置在上述电极的相互间的有机半导体层(108);分别配置在上述有机半导体层的两侧的第1和第2栅电极(102、110);以及配置在上述有机半导体层与上述第1和第2栅电极的相互间的栅绝缘层(103、109),上述第1和第2栅电极互相连接,利用印刷法形成两栅电极中的至少一个电极。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 像素 电极 电光 装置 电子 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶体管,其特征在于,包含:形成于基体的上方的第1栅电极;形成于上述第1栅电极的上方的第2栅电极;形成于上述第1栅电极的上方的源电极;形成于上述第1栅电极的上方的漏电极;以及半导体膜,其覆盖上述源电极的至少一部分和上述漏电极的至少一部分,配置在上述第1栅电极与上述第2栅电极之间;上述源电极具备第1基部和在与上述第1基部的延伸方向交叉的方向上突出的至少一个第1突出部;上述漏电极具备在从第2基部向上述第1基部的方向突出的至少一个第2突出部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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