[发明专利]避免气泡缺陷的浅沟绝缘结构工艺及浅沟底部表面的处理

摘要

本发明揭示一种避免产生气泡缺陷的浅沟绝缘结构工艺，是在蚀刻形成浅沟后，对浅沟底部表面进行含碳或氧的物质的移除，再继续完成此浅沟绝缘结构工艺。另外，亦可在浅沟的表面上形成氧化物衬垫层及氮化硅衬垫层之后，才进行浅沟底部表面的含碳或氧的物质的移除。本发明亦揭示一种浅沟底部表面处理的方法。经过对浅沟表面的处理，可避免因为氮化硅衬垫层的使用所导致的气泡缺陷。

主权项

1. 一种避免产生气泡缺陷的浅沟绝缘结构工艺，包括：提供半导体基底，其上形成有垫氧化层以及垫氮化层；形成光致抗蚀剂层于该垫氮化层上，及进行光刻工艺以将该光致抗蚀剂层图案化而部分曝露出该垫氮化层；蚀刻该曝露的垫氮化层及其下方的垫氧化层，形成开口；经由该开口蚀刻该半导体基底，形成浅沟；移除该光致抗蚀剂层，而于该浅沟的底部表面留有含碳或氧的物质；移除该浅沟的底部表面所留有的该含碳或氧的物质；于该浅沟的表面上形成氧化物衬垫层；于该氧化物衬垫层上形成氮化硅衬垫层；以及进行化学气相沉积工艺，在该浅沟内沉积并填满介电层。