[发明专利]相变化存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200710084981.2 | 申请日： | 2007-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101257083A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 卓言 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明有关于一种相变化存储器及其制造方法。该相变化存储器包括：基底；第一电极层，形成于该基底之上；点状相变化柱形，成于该第一电极层之上；介电层形成于该第一电极层之上，并覆盖该点状相变化柱的侧面，露出该点状相变化柱的上表面；以及第二电极层，形成于该介电层与该点状相变化柱之上，其中该点状相变化柱的上表面的两维度均小于曝光极限。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种相变化存储器的制造方法，包含：提供基底；依序形成第一电极层及相变化层于该基底之上；形成第一条状硬掩模层于该相变化层之上；沉积第一介电层于该相变化层之上以覆盖该第一条状硬掩模层的侧表面；形成第二条状硬掩模层于该第一介电层上，其中该第二条状硬掩模层与该第一条状硬掩模层不完全平行，两者的俯视投影相迭于一交会点；以该第二条状硬掩模层作为蚀刻掩模蚀刻该第一条状硬掩模层，以形成点状硬掩模层；移除该第二条状硬掩模层；以该点状硬掩模层作为蚀刻掩模蚀刻该相变化层，形成点状相变化柱；移除该点状硬掩模层；形成第二介电层于该基底之上，并回蚀刻该第二介电层以露出该点状相变化柱的上表面；以及形成第二电极层于该第二介电层之上并与该点状相变化柱接触。
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