[发明专利]形成硅层的方法及使用该硅层的显示基板的制造方法有效
| 申请号： | 200710079362.4 | 申请日： | 2007-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101026093A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 库纳尔·吉罗特拉;金秉浚;梁成勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造硅层的方法，其包括：使用包括四氟化硅(SiF4)气体、三氟化氮(NF3)气体、SiF4－H2气体及其混合物中的至少一种的第一反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法对形成于基板上的氮化硅层的表面进行预处理。然后，使用第二反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法在预处理后的氮化硅层上形成硅层，所述第二反应气体包括包含四氟化硅(SiF4)、氢气(H2)和氩气(Ar)的混合气体。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 使用 显示 制造 | ||
【主权项】：
1.一种形成硅层的方法，包括：使用包括选自四氟化硅(SiF4)气体、三氟化氮(NF3)气体、SiF4-H2气体及其混合物组成的组中的至少一种气体的第一反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法预处理形成于基板上的氮化硅层的表面；以及使用第二反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法在预处理后的所述氮化硅层上形成硅层，所述第二反应气体包括包含四氟化硅(SiF4)、氢气(H2)和氩气(Ar)的混合气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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