[发明专利]一种存储器检测方法

摘要

本发明公开一种存储器检测方法，其主要包括三个检测阶段，分别为读写检测、数据线检测及地址线检测，此三阶段通过逐步排除的方法查找存储器存在的故障，使检测结果更为准确，另外，本发明只需利用首地址与末地址，就可全面检测出数据线是否存在问题，对地址线的检测，也只需利用非常少的地址单元，就可进行全面检测；另外，通过对测试数据、测试数据组和测试地址组的特殊设置，可准确地指出具体是哪根数据线和地址线存在故障，并及时地报告错误，从而大大提高了检测效率。

主权项

1.一种存储器检测方法，其特征在于，包括：第一阶段、对存储器进行读、写检测：1.1设存储器内要进行检测的某一段地址空间的首地址为HDDR，末地址为EDDR，测试数据1为TD1，测试数据2为TD2，两者的比特位宽度等于所要检测的数据线宽度；且TD2为TD1的按位取反数据；1.2向HDDR写入TD1，再回读比较，如果回读结果不相等，则可判断出存储器存在读写问题，停止检测并报告问题；1.3向EDDR写入TD2，再回读比较，如果回读结果不相等，则可判断出存储器存在读写问题，停止检测并报告问题；1.4当HDDR和EDDR都分别写入完TD1和TD2后，且都经回读比较，如果没有发现问题，则进入第二阶段检测；第二阶段、对存储器的数据线进行检测：2.1设置测试数据组1为TDG1，其所包含的数据个数等于所要检测的数据线宽度，每一数据互不相同，且每一数据与步骤1.2中的写入HDDR的TD1相比只有一个比特位不同；2.2将TDG1的每个数据依次向HDDR写入，每次写完一个数据后，再回读比较，若回读结果相等，则继续写入下一个数据；若回读结果不相等，进入步骤2.3；2.3根据回读结果，判断出该写入HDDR的数据与TD1相比比特位不同的那根数据线存在故障，并记录该故障，继续写入下一个数据，直至所有数据线都检测完毕，再停止检测并报告所发现的错误；2.4设置测试数据组2为TDG2，其所包含的数据个数等于所要检测的数据线宽度，每一数据互不相同，且每一数据都为TDG1中相应数据的按位取反；2.5向EDDR依次写入TDG2，每次写完一个数据后，再回读比较，若回读结果相等，则继续写入下一个数据；若回读结果不相等，进入步骤2.6；2.6根据回读结果，判断出该写入EDDR的数据与TD2相比比特位不同的那根数据线存在故障，并记录该故障，继续写入下一个数据，直至所有数据线都检测完毕，再停止检测并报告所发现的错误；2.7在2.1至2.6步骤中，若未发现数据线存在问题，且TDG1和TDG2内的数据都写入及回读完毕，则进入第三阶段检测；第三阶段、对存储器地址线进行检测：3.1将TD1写入HDDR；3.2设置测试地址组1，其包含多个测试地址，且每一测试地址与HDDR相比只有一个比特位不同，且各测试地址之间互不相同；3.3将TDG1所含数据依次地写入测试地址组1所含的测试地址内，每向一个测试地址写完一个数据，再回读HDDR内的数据，若回读结果为TD1，则继续向下一个测试地址写入下一个数据，直至所有测试地址都写入完毕；若回读结果不是TD1，则进行步骤3.4；3.4根据回读结果，判断出该测试地址与HDDR相比比特位不同的那根地址线存在故障，并记录该故障，继续向下一个测试地址单元写入下一个数据，直至所有测试地址单元都写入完毕，停止检测并报告所发现的错误；3.5将TD2写入EDDR；3.6设置测试地址组2，其包含多个测试地址，且每一测试地址是测试地址组1所含测试地址的按位取反；3.7将TDG2所含数据依次写入测试地址组2所含的测试地址内，每次写完一次，再回读EDDR内的数据，若回读结果为TD2，则继续向下一个测试地址写入下一个数据；若回读结果不是TD2，则进行步骤3.8；3.8根据回读结果，判断出该测试地址与EDDR相比比特位不同的那根地址线存在故障，并记录该故障，继续向下一个测试地址写入下一个数据，直至所有测试地址都写入完毕，停止检测并报告所发现的错误。