[发明专利]制备碳化硅多孔陶瓷的燃烧合成法无效

专利信息
申请号: 200710072419.8 申请日: 2007-06-29
公开(公告)号: CN101333112A 公开(公告)日: 2008-12-31
发明(设计)人: 韩杰才;张宇民;周玉锋;孟松鹤;杜善义;左洪波;赫晓东 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B38/00;C04B35/64
代理公司: 哈尔滨东方专利事务所 代理人: 陈晓光
地址: 150001黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 制备碳化硅多孔陶瓷的燃烧合成法,随着特种陶瓷材料需求的日益增大,提高生产效率、降低生产成本已成为目前特种陶瓷材料研究的热点。本发明组成包括:多孔陶瓷的设计、制粉、燃烧合成,所述的燃烧合成是将干燥后的粉体以松散的形式倒入模具中,并在模具旁边堆放一层引燃剂,开始燃烧合成时,接通加热电阻的电源,使其发热,将引燃剂点燃,在引燃剂的作用下,粉体也开始燃烧,在粉体燃烧40-60s后,在压头上施加100-150t的压力,使其成型,并一直保持此压力直至其冷却至室温。本发明应用于材料领域。
搜索关键词: 制备 碳化硅 多孔 陶瓷 燃烧 成法
【主权项】:
1.一种制备碳化硅多孔陶瓷的燃烧合成法,其组成包括:多孔陶瓷的设计、制粉、燃烧合成,其特征是:所述的燃烧合成是将干燥后的粉体以松散的形式倒入模具中,并在模具旁边堆放一层引燃剂,开始燃烧合成时,接通加热电阻的电源,使其发热,将引燃剂点燃,在引燃剂的作用下,粉体也开始燃烧,在粉体燃烧40-60s后,在压头上施加100-150t的压力,使其成型,并一直保持此压力直至其冷却至室温。
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