[发明专利]兼容CMOS工艺的硅光波导制备方法无效
| 申请号： | 200710067324.7 | 申请日： | 2007-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN101013181A | 公开（公告）日： | 2007-08-08 |
| 发明（设计）人： | 杨建义;肖司淼;郑伟伟;江晓清;郝寅雷;周强;李锡华;王明华 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/136;G02B6/12;G03F7/20 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种兼容CMOS工艺的硅光波导制备方法。在SOI基片的顶层硅上制作一层二氧化硅或者氮化硅或者氮氧化硅掩膜层，并对掩膜层进行光刻和蚀刻，制作出光波导掩膜图案，然后对制备有掩膜图案的SOI基片进行氧化，即可以制作出硅光波导。本发明利用了硅的氧化特点，结合了选择性腐蚀技术，所提出的硅光波导制备方法与CMOS平面工艺完全兼容，不再需要采用硅刻蚀或腐蚀等非CMOS标准工艺过程。 | ||
| 搜索关键词： | 兼容 cmos 工艺 波导 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种兼容CMOS工艺的硅光波导制备方法，其特征在于该方法的步骤如下：1)在SOI基片的顶层硅上制作一层掩膜层；2)对掩膜层进行光刻和蚀刻，制作出硅光波导掩膜图案；硅光波导掩膜图案的宽度由所要制备的硅光波导和随后的氧化时间决定；3)对制备有掩膜图案的SOI基片进行氧化，氧化时间由所要制备的硅光波导的高度决定。
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