[发明专利]一种小输出电阻、大输出幅度的电压跟随器无效
申请号: | 200710064681.8 | 申请日: | 2007-03-23 |
公开(公告)号: | CN101051821A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
发明(设计)人: | 孔耀晖;杨华中 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084北京市100*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种小输出电阻、大输出幅度的电压跟随器属于电压跟随器技术领域,其特征在于含有:1个输入管PMOS管M1,第一电流源I2、以及由2个NMOS管M2和M3,一个电流沉I1以及第二电流源I3构成的反馈环路。该反馈环路使电压跟随器的输出电阻显著变小,输出幅度显著变大,同时使电压跟随器的输入管的漏极成为一个低阻抗节点,从而使输入管的漏极电压波动变小,减小了输入管的沟道调制效应。本发明具有小输出电阻,大输出幅度,高线性度,适合低电压工作的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 输出 电阻 幅度 电压 跟随 | ||
【主权项】:
1.一种小输出电阻、大输出幅度的电压跟随器其特征在于,含有:1个P型MOS管(M1),作输入管用,栅极接输入电压(Vin),源级接节点(1),从所述(1)节点引出输出电压(Vout),而漏极接节点(3);第一电流源(I2),一端接电源电压(VDD),另一端接所述节点(1);反馈环路,由2个NMOS管(M2)和(M3),电流沉(I1),第二电流源(I3)构成,其中,NMOS管(M2)的源级与地相连,漏极接所述节点(1),栅极接节点(2);NMOS管(M3)的源级接所述节点(3),漏极接所述节点(2),而栅极接偏置电压(Vb);电路沉(I1),一端接地,而另一端接节点(3);第二电流源(I3)的一端接所述电源电压(VDD),而另一端接节点(2);所述电压跟随器的输出电阻rL为: 其中gmi和roi分别为所述Mi管的跨导和输出电阻,i=1,2,3;所述电压跟随器在所述节点(1)的输出电压净空高度为VDD-3VDsat,其中VDsat是晶体管的饱和电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710064681.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。