[发明专利]硅片切削崩边控制方法无效
| 申请号： | 200710057424.1 | 申请日： | 2007-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101310951A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 仲跻和;李家荣;高如山 | 申请（专利权）人： | 天津晶岭电子材料科技有限公司 |
| 主分类号： | B28D1/32 | 分类号： | B28D1/32 |
| 代理公司： | 天津三元专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 胡婉明 |
| 地址： | 300385天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅片切削崩边控制方法，包括将滚磨后的硅棒粘贴在切割机上，调整控制硅棒的自转速度、切割机进刀速度以及切割刀刀口的表面温度，对硅棒进行切削；其改进之处是，所述切割的进刀速度控制在0.02cm/min至0.1cm/min；所述硅棒自转速度控制在100转/min至500转/min；所述冷却水的流量控制在2L/min至5L/min；所述切割刀刀口的表面温度保持在40℃以下；其适用于硅片加工的内圆切割和线切割中，通过改变切削工艺条件，达到控制硅片切削崩边发生率的功效，工艺条件设计合理，操作简单方便，生产成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 切削 控制 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅片切削崩边控制方法，包括将滚磨后的硅棒粘贴在切割机上，调整控制硅棒的自转速度、切割机进刀速度以及切割刀刀口的表面温度，对硅棒进行切削；其特征在于，所述切割的进刀速度控制在0.02cm/min至0.1cm/min；所述硅棒自转速度控制在100转/min至500转/min；所述冷却水的流量控制在2L/min至5L/min；所述切割刀刀口的表面温度保持在40℃以下。
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