[发明专利]检测梯度滤波器光强分布的方法及提高线宽一致性的方法有效
申请号: | 200710044801.8 | 申请日: | 2007-08-09 |
公开(公告)号: | CN101364047A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
发明(设计)人: | 杨金坡;袁烽 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F7/00;G03F1/00;G03F7/16;H01L21/027 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种检测梯度滤波器的光强分布的方法,包括:提供掩膜板,该掩膜板具有线宽相同的图形;提供具有光敏材料层的半导体衬底,通过曝光设备将所述掩膜板上的图形转移到所述光敏材料层上,形成光敏材料层图案;测量所述半导体衬底的不同位置的光敏材料层图案的线宽,获得光敏材料层图案的线宽分布;将所述光敏材料层图案的线宽分布输入曝光设备的梯度滤波器光强分布与线宽分布的函数关系中,获得梯度滤波器的光强分布。本发明还提供一种提高光刻工艺线宽一致性的方法。本发明较为简单、且可节省时间,降低成本。 | ||
搜索关键词: | 检测 梯度 滤波器 分布 方法 提高 一致性 | ||
【主权项】:
1.一种检测梯度滤波器的光强分布的方法,其特征在于,包括:提供掩膜板,该掩膜板具有线宽相同的图形;提供具有光敏材料层的半导体衬底,通过曝光设备将所述掩膜板上的图形转移到所述光敏材料层上,形成光敏材料层图案;测量所述半导体衬底的不同位置的光敏材料层图案的线宽,获得光敏材料层图案的线宽分布;将所述光敏材料层图案的线宽分布输入曝光设备的梯度滤波器光强分布与线宽分布的函数关系中,获得梯度滤波器的光强分布。
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