[发明专利]通孔的形成方法有效
| 申请号： | 200710040980.8 | 申请日： | 2007-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101312149A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 沈满华;王新鹏;刘乒;孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通孔的形成方法，包括步骤：提供衬底，且所述衬底上具有介质层；利用掩膜在所述介质层上定义通孔图案；利用第一预刻蚀气体进行第一预刻蚀，去除未被所述掩膜保护的所述介质层的一部分；利用第二预刻蚀气体进行第二预刻蚀，且所述第二预刻蚀气体的碳/氟比小于所述第一预刻蚀气体的碳/氟比；进行主刻蚀，去除未被所述掩膜保护的第一介质层。采用本发明的通孔形成方法，可以在保持较小孔径的情况下，形成质量较好的通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种通孔的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，且在所述衬底上具有介质层；利用掩膜在所述介质层上定义通孔图案；利用第一预刻蚀气体进行第一预刻蚀；利用第二预刻蚀气体进行第二预刻蚀，且所述第二预刻蚀气体的碳/氟比小于所述第一预刻蚀气体的碳/氟比；进行主刻蚀，去除未被所述掩膜保护的第一介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
