[发明专利]一种α型六水合硫酸镍间歇结晶过程晶体生长方法有效
申请号: | 200710027851.5 | 申请日: | 2007-05-08 |
公开(公告)号: | CN101062793A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 江燕斌;楚玉宽;郑韧;余军文;钱宇 | 申请(专利权)人: | 广东光华化学厂有限公司;华南理工大学 |
主分类号: | C01G53/10 | 分类号: | C01G53/10 |
代理公司: | 汕头市高科专利事务所 | 代理人: | 唐瑞玉 |
地址: | 515021广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种α型六水合硫酸镍间歇结晶过程晶体生长的方法,该方法是首先配制一定浓度的硫酸镍溶液,升温至一定温度时搅拌完全溶解,然后通过控制降温速率、搅拌速率及添加一定量、一定粒度的晶种进行冷却结晶,最后将晶液进行离心分离,并将得到的晶体在一定温度下干燥,得到最终产品。利用本控制方法得到的α型六水合硫酸镍晶体,具有粒度大、分布均匀、晶型好等特点,具有很强的市场竞争力。 | ||
搜索关键词: | 一种 水合 硫酸镍 间歇 结晶 过程 晶体生长 方法 | ||
【主权项】:
1、一种α型六水合硫酸镍间歇结晶过程晶体生长方法,包括如下步骤:(1)溶解:根据无水硫酸镍在水中的溶解度曲线,配制55℃时的硫酸镍饱和溶液,将该溶液置于低温恒温槽中加热至65±1℃,搅拌,完全溶解后保温30-60分钟;(2)冷却结晶:将上述溶液的搅拌速度控制在50-200转/分钟的范围内,在120~360分钟内使温度由65±1℃缓慢降至31.5±0.1℃,当温度降至49-54℃时加入晶种,晶种的加入量为原料量的0.02%~0.6%,粒径为0.15-0.35mm;加入晶种后,保证晶体在溶液中处于半悬浮状态,采用开始时缓慢降温,待晶体生长至一定大小,适当加快降温速度;(3)过滤干燥:将上述结晶液进行离心分离,并将离心分离后得到的晶体在50-55℃的温度范围内干燥3-4小时,即得到最终产品。
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