[发明专利]一种大尺寸阴离子掺杂聚吡咯膜防腐涂层的制备工艺

摘要

本发明公开了一种大尺寸阴离子掺杂聚吡咯膜防腐涂层的制备工艺，首先在吡咯单体和草酸的混合溶液中电化学合成草酸根掺杂的聚吡咯预涂层，然后在预涂层上电化学合成大尺寸阴离子(如十二烷基苯磺酸根)掺杂聚吡咯膜。本发明的方法不仅可在铜表面生成一层致密的薄膜，提高铜的腐蚀电位，减小腐蚀电流，并能长期有效阻碍腐蚀离子穿透涂层，防止和减缓了铜的腐蚀；所得涂层具有很高的黏附性，并且可以在涂层受到划伤后，通过生成钝化膜而使金属免于腐蚀。

主权项

1、一种大尺寸阴离子掺杂聚吡咯膜防腐涂层的制备工艺，其特征在于：1)首先，用草酸和草酸盐配置成浓度为0.01～1mol/L的草酸根溶液，调节溶液的pH在1～9之间，然后向该溶液中加入吡咯单体使吡咯单体的浓度为0.01～0.6mol/L，得到溶液A；2)其次，用大尺寸的阴离子的酸和盐配置成浓度为0.01～0.6mol/L的溶液，调节溶液的pH在1～9之间，然后向该溶液中加入吡咯单体使吡咯单体的浓度为0.01～0.6mol/L，得到溶液B；所说的大尺寸的阴离子的酸和盐为：十二烷基苯磺酸和十二烷基苯磺酸钠，对甲基苯磺酸和对甲基苯磺酸钠；将需要保护的铜或铜合金浸入溶液A中采用循环伏安法进行电化学聚合，得到聚吡咯膜修饰的铜或铜合金电极C；3)最后，将铜或铜合金电极C浸入溶液B进行电化学聚合，在铜或铜合金电极C的表面得到一层大阴离子掺杂的聚吡咯膜D。