[发明专利]热处理装置有效
申请号: | 200710001942.1 | 申请日: | 2007-01-17 |
公开(公告)号: | CN101005010A | 公开(公告)日: | 2007-07-25 |
发明(设计)人: | 大岛和彦;青木茂树 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/027;H01L21/324;G03F7/38;G03F7/40;G03F7/16;G03F7/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种在处理室内对基板进行热处理的热处理装置,包括载置基板并对其进行热处理的加热板,以及从上方覆盖该加热板、构成处理室的一部分的盖体。盖体包括顶板、以及垂直设置在该顶板的周端部上的周侧部。在顶板上设置有将气体供给至处理室内的供给口,在顶板的侧部上设置有为处理室内的气体进行排气的多个排气口。与各个排气口连通并且在与各个排气口基本等距离的位置上具有排出口的排气管,以可以装卸的方式被安装在盖体上。根据本发明,能够方便地对由热处理而产生的升华物质等的杂质导致的堵塞进行维修。 | ||
搜索关键词: | 热处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种在处理室内对基板进行热处理的热处理装置,其特征在于,包括:载置所述基板并对其进行热处理的热处理板;以及从上方覆盖该热处理板、构成所述处理室一部分的盖体,其中,所述盖体包括上面部、以及在垂直方向上设置在该上面部的周端部上的周侧部,在所述盖体的上面部上,设置有向处理室内供给气体的供给口,在所述盖体的上面部的侧部,设置有将所述处理室内的气体排出的多个排气口,与所述各个排气口连通并且在与各个排气口等距离的部位上具有排出口的排气管,以可以装卸的方式设置在所述盖体上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造