[发明专利]包括增压器板的快闪存储器装置有效
申请号: | 200680053203.0 | 申请日: | 2006-02-17 |
公开(公告)号: | CN101449380A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 图安·法姆;东谷雅明;格里特·简·赫民克 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L27/105 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明揭示一种并入有独特增压器板设计的NAND快闪存储器装置。在读取及编程操作期间给所述增压器板施加偏压,且在许多情形中与浮动栅极的耦合减小编程及读取存储于所述栅极内的电荷所需的电压电平。所述增压器板还屏蔽浮动栅极之间的不合需要的耦合。与所述独特增压器板一起使用的自增压、局部自增压及擦除区域自增压模式进一步改善读取/写入可靠性及准确度。因此,根据本发明可实现更紧凑及可靠的存储器装置。 | ||
搜索关键词: | 包括 增压 闪存 装置 | ||
【主权项】:
1、一种在快闪存储器装置中使用的方法,所述快闪存储器装置具有NAND架构的晶体管串,所述NAND架构包括第一选择栅极、多个浮动栅极及第二选择栅极,所述方法包括:提供垂直于所述串的轴线的多个字线,所述多个字线的每一字线位于所述串的浮动栅极上方;及提供增压器板,其包括多个指形物以及连结所述指形物的部分,所述指形物平行于所述字线伸展并且定位于毗邻字线之间而非其上方;及通过向多个未选定字线及所述增压器板施加读取电压电平来读取存储在选定字线下的浮动栅极上的电荷,所述读取电压电平小于在缺少所述增压器板及施加于其的所述读取电压电平情况下原本所需的电压电平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的