[发明专利]通过植入碳团簇制造半导体装置的系统和方法有效
| 申请号： | 200680043695.5 | 申请日： | 2006-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101313395A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 韦德·A·克鲁尔;托马斯·N·霍尔斯基 | 申请（专利权）人： | 山米奎普公司 |
| 主分类号： | H01L21/425 | 分类号： | H01L21/425 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种工艺，其包含将碳团簇植入到衬底中以当在制造集成电路中的PMOS晶体管结构的过程中用硼和磷掺杂所述衬底时改进晶体管接面的特性。由此新颖方法产生两个工艺：(1)对USJ形成的扩散控制；和(2)用于应力工程的高剂量碳植入。结合PMOS中的源极/漏极结构的硼或浅硼团簇植入来说明对USJ形成的扩散控制。更明确地说，首先，以与后续硼植入大致相同的剂量将例如C－IeHx+的团簇碳离子植入到源极/漏极区中；然后优选使用例如B18Hx+或BioHx+的硼氢化物团簇，进行浅硼、硼团簇、磷或磷团簇的离子植入以形成源极/漏极延伸。经后续的退火和活化后，由于碳原子吸集间隙缺陷而减少硼扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 植入 碳团簇 制造 半导体 装置 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种植入离子的方法，其包含下列步骤：(a)产生一体积的形式为CnHx的材料的气相分子，其中n和x为整数，且2≤n，且x≥0；(b)使所述CnHx分子离子化以形成CnHy +或CnHy -，其中y是使得y＞0的整数；以及(c)通过电场使所述离子化分子加速到目标中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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