[发明专利]具有掩埋浮栅结构的闪存单元及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有掩埋浮栅结构的闪存单元和制造该闪存单元的方法。该闪存单元包括半导体衬底、控制栅、介电层、浮栅、浮栅、隧道氧化物层以及源区和漏区。控制栅形成在半导体衬底上，并由第一传导层形成。介电层形成在半导体衬底表面和控制栅之间。浮栅在介电层之下埋入半导体衬底，并由第二传导层形成。隧道氧化物层形成为在半导体衬底内围绕浮栅。源区和漏区互相分隔开，在半导体衬底内的浮栅和隧道氧化物层被设置在源区和漏区之间。

主权项

1.一种闪存单元，包括：半导体衬底；控制栅，形成在所述半导体衬底上，并且由第一传导层形成；介电层，形成在所述半导体衬底表面和所述控制栅之间；浮栅，在所述介电层之下埋入所述半导体衬底，并且由第二传导层形成；隧道氧化物层，形成为围绕所述半导体衬底内的所述浮栅；以及互相分隔开的源区和漏区，所述半导体衬底内的所述浮栅和所述隧道氧化物层被设置在所述源区和所述漏区之间。