[发明专利]可去除累积在基底上的电荷的连续沉积多层膜的方法无效
| 申请号： | 200610166927.8 | 申请日： | 2006-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101202207A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 姜兆声;林平伟;杨钦伟 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/31;C23C16/54 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种连续沉积多层膜的方法，是在最后一层膜层沉积之后，及/或是在进行相邻两膜层的沉积工艺之间，进行一电荷去除步骤，此电荷去除步骤是在机台的反应腔室之中通入钝气，在一段时间之后，再将此钝气抽除。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 累积 基底 电荷 连续 沉积 多层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在含等离子体的化学气相沉积机台中连续沉积多层膜的方法，包括：在该化学气相沉积机台中进行第一等离子体沉积工艺，以在基底上形成第一膜层；进行第二等离子体沉积工艺，以在该第一膜层上形成第二膜层；以及进行电荷去除步骤，包括：通入钝气；以及抽去该钝气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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