[发明专利]固态成像器件及其驱动方法无效
申请号: | 200610159277.4 | 申请日: | 2006-09-26 |
公开(公告)号: | CN1941397A | 公开(公告)日: | 2007-04-04 |
发明(设计)人: | 工藤弘仪;打矢聪;山本淳一;二村文章 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;陆锦华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种固态成像器件,包括:N型半导体衬底;位于N型半导体衬底的表面部分中的N型杂质区;形成在N型杂质区中的光电转换单元;与光电转换单元接触地形成在N型杂质区中的电荷积累单元,用于临时积累在光电转换单元产生的电荷;与电荷积累单元接触地形成在N型杂质区中的电荷保持区,即阻挡单元,其允许电荷积累单元积累电荷;以及提供给电荷积累单元的电荷积累电极。电荷积累单元和电荷保持区形成为N-型。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 器件 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】:
1.一种固态成像器件,包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底的表面部分中的第一导电类型的杂质区;形成在所述杂质区中的光电转换单元;与所述光电转换单元接触地形成在所述杂质区中的电荷积累单元,用于临时积累在所述光电转换单元中产生的电荷,所述电荷积累单元具有所述第一导电性;与所述电荷积累单元接触地形成在所述杂质区中的阻挡单元,其使所述电荷积累单元积累所述电荷,所述阻挡单元具有所述第一导电性;以及提供给所述电荷积累单元的第一电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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