[发明专利]形成超浅结的方法有效
| 申请号： | 200610147797.3 | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101207020A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 郭佳衢;何永根;戴树刚;刘云珍 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成超浅结的方法，包括：对半导体衬底进行离子注入；对所述半导体衬底进行预退火操作，将所述半导体衬底由室温升温至中间温度值；通入氧气，对所述半导体衬底进行退火操作，将所述半导体衬底由所述中间温度值升温至退火温度峰值；对所述半导体衬底进行降温操作，将所述半导体衬底由退火温度峰值降至室温。在形成超浅结的过程中采用峰值退火方法，可在一次热处理过程中同时完成掺杂材料的激活及晶格损伤的修复；在峰值退火过程中通入氧气，减少了掺杂离子的扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 超浅结 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成超浅结的方法，包括：对半导体衬底进行离子注入；对所述半导体衬底进行预退火操作，将所述半导体衬底由室温升温至中间温度值；通入氧气，对所述半导体衬底进行退火操作，将所述半导体衬底由所述中间温度值升温至退火温度峰值；对所述半导体衬底进行降温操作，将所述半导体衬底由退火温度峰值降至室温。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610147797.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种施工性能好的橡胶沥青组合物
- 下一篇：无线网络搜索方法和系统及多模设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
