[发明专利]磁传感器及其制造方法、适合该制造方法的磁铁阵列无效
申请号: | 200610092392.4 | 申请日: | 2003-10-23 |
公开(公告)号: | CN1873434A | 公开(公告)日: | 2006-12-06 |
发明(设计)人: | 大桥俊幸;涌井幸夫 | 申请(专利权)人: | 雅马哈株式会社 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;G01D5/16;H01F13/00;H01F41/30 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种具有可以稳定维持自由层磁区的磁化方向的磁阻效应元件的磁传感器。该磁传感器包括具有包括钉扎层和自由层的窄带形部(11a、11a)的磁阻效应元件。在自由层的两端部下方形成了偏磁膜(11b、11b)和初始化用线圈(31),所述偏磁膜(11b、11b)由使该自由层上产生规定方向的偏磁场的永久磁铁构成,所述初始化用线圈(31)与所述自由层邻近而设,通过在规定条件下通电来对自由层施加与所述偏磁场同一方向的磁场。此外,偏磁膜的起磁和钉扎层的磁化方向的固定用由磁铁阵列形成的磁场完成,使在多个永久磁铁设置在正方格的格点上的同时各永久磁铁的磁极的极性与间隔最短距离邻接的其他磁极的极性不同。 | ||
搜索关键词: | 传感器 及其 制造 方法 适合 磁铁 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种磁铁阵列,其具有多个永久磁铁,所述多个永久磁铁为大致长方体形状,垂直于该长方体的一个中心轴的断面的形状是大致正方形,且在垂直于该中心轴的该大致正方形的端面上形成有磁极,其配置所述多个永久磁铁的各个具有所述大致正方形的端面的重心与正方格的格点一致,同时,配置在所述正方格的任意一列上的所述多个永久磁铁中的一个永久磁铁的所述端面的一边与配置在相同列上的另一永久磁铁的所述端面的一边存在于大致同一直线上,所述全部多个永久磁铁的端面存在于大致同一平面上,并且所述多个永久磁铁中的间隔最短距离相互邻接的两个永久磁铁的端面上所形成的磁极的极性不同。
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