[发明专利]新型闪烁晶体LaBr3:Ce3+的坩埚下降法生长工艺无效
| 申请号： | 200610081630.1 | 申请日： | 2006-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101070607A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 陈红兵;杨培志;周昌勇;肖华平;蒋成勇 | 申请（专利权）人： | 宁波大学;昆明物理研究所 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315211浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了新型闪烁晶体LaBr3:Ce3+的坩埚下降法生长工艺，该技术属于单晶生长领域。以LaBr3·7H2O和CeBr3·7H2O为初始原料，通过卤化焙烧脱水处理以制备无水溴化物LaBr3和CeBr3；按照适当CeBr3掺杂浓度制备LaBr3:Ce3+配合料，并掺入少量活性碳粉作为脱氧剂。采用特制铂坩埚填装籽晶和原料，将坩埚焊封后置于晶体生长炉中，控制炉温于850～900℃，调节坩埚位置使原料和籽晶熔接，形成温度梯度为20～50℃/厘米的固液界面，以0.3～3毫米/小时的速率进行坩埚下降晶体生长，可生长出优质完整的LaBr3:Ce3+单晶。该工艺解决了无水原料制备、熔体氧化和挥发等关键技术问题，可在非真空密闭坩埚条件下批量生长LaBr3:Ce3+单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 闪烁 晶体 labr sub ce sup 坩埚 下降 生长 工艺 | ||
【主权项】：
1、LaBr3:Ce3+单晶的坩埚下降法生长工艺，包括原料制备、晶体生长、晶体加工等步骤，其特征在于：通过卤化焙烧脱水处理制备严格无水溴化物原料，添加少量活性碳粉作为溴化物原料的除氧剂；密封铂坩埚以避免熔体氧化和挥发，控制适当工艺条件进行坩埚下降晶体生长；采用油性磨料进行晶体加工，通过镀膜处理以避免晶体潮解。
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