[发明专利]一种平坦化有源驱动TFT矩阵结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200610076552.6 | 申请日： | 2006-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101064316A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 王章涛;邱海军;陈旭;闵泰烨;林承武 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马晶晶 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平坦化有源驱动TFT矩阵结构，包括：基板、栅线、栅电极及栅绝缘层，其特征在于：所述的栅线和栅电极被栅绝缘层包覆在基板上，栅绝缘层上表面呈水平状，半导体层、源漏电极及像素电极均形成在栅绝缘层上。本发明同时还公开了制造该平坦化有源驱动TFT矩阵结构的方法。本发明形成的平坦化栅绝缘层表面，非常有利于后续有源层、源漏金属层、钝化层和像素电极层的沉积，减少了各种金属线断线的发生。同时，平坦化的栅绝缘层表面可减少栅绝缘层内应力的形成，有利于成品率的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平坦 有源 驱动 tft 矩阵 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种平坦化有源驱动TFT矩阵结构，包括：基板、栅线、栅电极及栅绝缘层，其特征在于：所述栅线和栅电极被栅绝缘层包覆在基板上，栅绝缘层上表面呈水平状，半导体层、源漏电极及像素电极均形成在栅绝缘层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
