[发明专利]抗蚀图增厚材料和形成工艺、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610067649.0 | 申请日： | 2006-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1975571A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 小泽美和;野崎耕司 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;高龙鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能使用ArF受激准分子激光的抗蚀图增厚材料；当将其涂覆在具有线图形或其它图形的抗蚀图诸如ArF抗蚀图上时，能够增厚抗蚀图而不管抗蚀图尺寸大小如何；其具有优秀的抗蚀性，并且适用于形成超出曝光极限的精细的空间图形或其它图形。本发明还提供一种适当利用本发明的抗蚀图增厚材料的抗蚀图形成工艺和制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀图增厚 材料 形成 工艺 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抗蚀图增厚材料，包括：树脂；及以下通式(1)所表示的化合物：![]()
通式(1)其中，R表示具有环状结构的基团；X表示包含羧基的单价有机基；Y表示羟基，烷基，烷氧基，氨基，用烷基取代的氨基，羰基以及烷氧羰基中至少任何一种；m表示1或更大的整数；n表示0或更大的整数。
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