[发明专利]非挥发性内存结构及其操作方法

摘要

本发明提供一种非挥发性内存结构及其操作方法，其是使用单一浮接闸极结构及包含一对相异离子掺杂区的电容结构，用来增加电容值，达成缩小面积的目的，使此内存结构进行程序化时，对源极施加一电压或对晶体管基底施加一背向偏压，从而大幅降低单闸极式电子式可清除程序化只读存储器(EEPROM)组件的电流需求，而在进行擦除时，将汲极电压提高，并在闸极加上一个微小电压，使进行擦除时增加F－N隧穿电流，进而实现高速擦除。

主权项

1、一种非挥发性内存结构，其特征在于，包括：一个半导体基底；一个晶体管结构，位于该半导体基底上；以及一个电容结构，位于该半导体基底上，该电容结构包括一个位于该半导体基底内的N型井，该N型井内设有一对相异离子掺杂区，该N型井表面上设置一层第一介电层，在该第一介电层上设置一个第一导电闸极，该晶体管结构及该电容结构两者隔离且为电连接，用来作为单浮接闸极。