[发明专利]用天然高岭土制备碳化硅晶须/氧化铝复合陶瓷粉的方法无效
| 申请号： | 200610059323.3 | 申请日： | 2006-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN1821175A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 邹正光;龙飞;顾涛 | 申请（专利权）人： | 桂林工学院 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用天然高岭土制备碳化硅晶须/氧化铝复合陶瓷粉的方法。以天然高岭土和炭源为原料，炭源为石墨或碳黑无机碳或高分子有机物；高岭土∶炭源的摩尔比为1∶3，球磨混均；干燥后用高铝坩埚装载置入气氛炉中；气氛炉经抽真空后充入一个大气压的氩气做为保护气体；升温至额定温度1450℃～1550℃，升温速率为每分钟10℃～15℃，保温时间2～4个小时，然后随炉自然冷却，获得碳化硅晶须/氧化铝纳米级、亚微米级复合粉。本发明原料低廉易得，合成工艺简单，工艺过程易控。制备的碳化硅晶须/氧化铝复合陶瓷粉具有理想的形貌和两相均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 天然 高岭土 制备 碳化硅 氧化铝 复合 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用天然高岭土制备碳化硅晶须/氧化铝复合陶瓷粉的方法，其特征在于采用天然高岭土精矿和炭源为原料，高岭土∶炭源的摩尔比为1∶3，球磨混均；干燥后用高铝坩埚装载置入气氛炉中；气氛炉经抽真空后充入一个大气压的氩气作为保护气体；升温至额定温度1450℃～1550℃，升温速率为每分钟10℃～15℃，保温时间2～4个小时，然后随炉自然冷却，获得碳化硅晶须/氧化铝。
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