[发明专利]焊料凸点的无助焊剂制作工艺有效
| 申请号： | 200610024135.7 | 申请日： | 2006-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN101026106A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 张璋炎;蒋瑞华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种焊料凸点的无助焊剂制作方法，包括：在接触焊盘上淀积一层电介质层；形成凸点下金属层；形成光刻胶层和部分开口以形成通孔图案于接触焊盘上；将焊料填充入所述通孔中；去除光刻胶层；以焊料凸点为掩模刻蚀凸点下金属层；在真空反应腔中去除凸点上的氧化物层；在真空反应腔中回流焊料凸点。该方法可以提供没有孔洞的焊料凸点，而且省去了在衬底上电镀导电的焊料凸点时通常采用的助焊剂设备和清洗助焊剂设备。该方法适合应用于导电性焊料凸点的制作，可以设置于芯片封装衬底上的锡球阵列封装中。 | ||
| 搜索关键词： | 焊料 无助 焊剂 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种焊料凸点的无助焊剂制作方法，包括：在接触焊盘上淀积一层电介质层；形成凸点下金属层；形成光刻胶层和部分开口以形成通孔图案于接触焊盘上；将焊料填充入所述通孔中；去除光刻胶层；以焊料凸点为掩模刻蚀凸点下金属层；在真空反应腔中去除凸点上的氧化物层；在真空反应腔中回流焊料凸点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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