[发明专利]利用电化学作用去除集成电路晶片表面污染物的方法

摘要

本发明公开了一种利用电化学作用去除集成电路晶片表面污染物的方法，提供一种利用金刚石膜结构和能够起到去除集成电路晶片表面残留有机物、颗粒以及金属离子的清洗剂的结合，能够达到较好的清洗效果，而且工艺简单，操作方便，满足环保要求的去除集成电路晶片表面污染物的方法。该方法包括下述步骤：金刚石膜配合清洗剂清洗；清洗剂清洗；金刚石膜清洗；两次水超声漂洗；喷淋；烘干得到高洁净的晶片。所述清洗剂按体积百分比由多种表面活性剂2％～15％，碱是40％～45％，余量的水组成。本发明采用金刚石膜结构代替传统清洗中的氧化剂，能够控制氧化强度，在外加电压的条件下能够使清洗剂长久保持稳定的氧化能力，使清洗剂能够循环应用。

主权项

1、一种利用电化学作用去除集成电路晶片表面污染物的方法，其特征在于，包括下述步骤：(1)金刚石膜电化学作用配合清洗剂清洗：将第一槽中放入清洗剂并加入8～15倍水，将装有集成电路晶片的花篮浸泡在其中，以金刚石膜为阳极，石墨为阴极，所述清洗剂为电解质，室温清洗5～10分钟；所述清洗剂按体积百分比由多种表面活性剂2％～15％，碱40％～45％，余量的水组成。(2)清洗剂超声加热清洗：将清洗剂加入8～15倍水放入第二槽中，加热到50～60℃，将上述晶片花篮从第一槽中取出，放入第二槽中，配合超声波作用清洗5～10分钟；所述清洗剂按体积百分比由多种表面活性剂2％～15％，碱40％～45％，余量的水组成；(3)金刚石膜电化学作用清洗：将水放入第三槽中，再将晶片花篮从第二槽中取出放入第三槽中，以金刚石膜为阳极，石墨为阴极，所述水为电解质，室温清洗5～10分钟；(4)水超声漂洗：将水放入第四槽，加热到50～60℃，将集成电路晶片花篮从三槽中取出，放入四槽，进行超声，大约5～10分钟；(5)水超声漂洗：将水放入第五槽，加热到50～60℃，将集成电路晶片花篮从四槽中取出，放入五槽，进行超声，大约5～10分钟；(6)喷淋：用温度为50～60℃的水对集成电路晶片进行喷淋去掉表面的各种残留；(7)烘干。