[发明专利]用于形成具有自对准硅化物层的半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200580052115.4 | 申请日： | 2005-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101346809A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 瑞安·罗斯;格列格·布莱克尔曼 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘光明;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了一种用于形成半导体器件且选择性地形成自对准硅化物层的方法。在一个实施例中，该方法包括：在具有第一区域(20)和第二区域(24)的半导体衬底上淀积金属层，其中第一区域和第二区域包含硅；移除第二栅电极上的金属层；以及使金属层与第一区域反应以在第一区域上形成自对准硅化物层(48)。在一个实施例中，第一区域和第二区域分别包括第一栅电极和第二栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 具有 对准 硅化物层 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件的方法，其特征在于：在具有第一区域和第二区域的半导体衬底上淀积金属层，其中第一区域和第二区域包含硅；移除第二区域上的金属层；及使金属层与第一区域反应以在第一区域上形成自对准硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
