[发明专利]蚀刻掩模特征临界尺寸的减小无效
申请号: | 200580047984.8 | 申请日: | 2005-12-06 |
公开(公告)号: | CN101116177A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | Z·黄;S·M·R·萨亚迪;J·马克斯 | 申请(专利权)人: | 兰姆研究有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/308;H01L21/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘杰;张志醒 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种用于在蚀刻层上具有蚀刻掩模的蚀刻叠层中的蚀刻层内形成特征的方法,其中该蚀刻掩模具有带有侧壁的蚀刻掩模特征,其中该蚀刻掩模特征具有第一临界尺寸。执行循环临界尺寸减小以形成具有第二临界尺寸的沉积层特征,该第二临界尺寸小于该第一临界尺寸。各个周期包括沉积阶段,用于在蚀刻掩模特征的包括垂直侧壁的暴露表面上沉积一沉积层,以及蚀刻阶段,用于回蚀刻该沉积层,在该垂直侧壁上留下选择性沉积。在该蚀刻层内蚀刻形成特征,其中该蚀刻层特征具有第三临界尺寸,该第三临界尺寸小于该第一临界尺寸。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 模特 临界 尺寸 减小 | ||
【主权项】:
1.一种用于在蚀刻层上具有蚀刻掩模的蚀刻叠层中的蚀刻层内形成特征的方法,其中所述蚀刻掩模具有带有侧壁的蚀刻掩模特征,其中所述蚀刻掩模特征具有第一临界尺寸,所述方法包括:执行循环临界尺寸减小以形成具有第二临界尺寸的沉积层特征,所述第二临界尺寸小于所述第一临界尺寸,其中各个周期包括:沉积阶段,用于在所述蚀刻掩模特征的包括垂直侧壁的暴露表面上沉积一沉积层;以及蚀刻阶段,用于回蚀刻所述沉积层,在所述垂直侧壁上留下选择性沉积;以及在所述蚀刻层内蚀刻形成特征,其中所述蚀刻层特征具有第三临界尺寸,所述第三临界尺寸小于所述第一临界尺寸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰姆研究有限公司,未经兰姆研究有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580047984.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:等离子显示器
- 下一篇:光学连接部件以及光学连接结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造