[发明专利]用于可编程存储器的自适应编程延迟电路无效

专利信息
申请号: 200580035314.4 申请日: 2005-07-11
公开(公告)号: CN101040344A 公开(公告)日: 2007-09-19
发明(设计)人: M·柯姆比;J·-M·答加 申请(专利权)人: 爱特梅尔股份有限公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 钱慰民
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种用于EEPROM(如图2所示)的自适应可编程电路(150、160、173、170、175、154、103)可用于自动调谐擦除或者写入延迟,从而提供经改进的编程窗口。该编程电路也可在经编程存储器单元的数据保持方面提供改进。本发明特别适用于能够进行页面模式写入操作的EEPROM存储器领域。
搜索关键词: 用于 可编程 存储器 自适应 编程 延迟 电路
【主权项】:
1.一种用于改进可编程存储器单元阵列中的数据保持的方法,该方法包括:定义不同于正常存储器单元读取电压的容限基准电压;读取至少一个存储器单元的逻辑值内容;使用所述容限基准电压作为基准,用于与所述逻辑值内容作比较;自动地将至少一个存储器单元上的所述逻辑值内容与期望逻辑值作比较;以及如果所述存储器单元逻辑值内容不同于所述期望逻辑值的话,则自动地调节编程参数。
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