[发明专利]形成具有替代金属栅电极的集成电路有效
| 申请号： | 200580028560.7 | 申请日： | 2005-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101006579A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | J·卡瓦利罗斯;J·布拉斯克;M·多齐;M·梅茨;S·达塔;U·肖;R·乔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在金属栅替代工艺中，可形成至少两个多晶硅层或其它材料的叠层。可在该叠层上形成侧壁隔片。然后可将叠层平坦化。接着，可选择性地去除该叠层的上层。然后，可选择性地去除侧壁隔片的暴露部分。最后，可去除叠层的下部以形成可用金属替代填充的T形沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 替代 金属 电极 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：形成锥形沟槽；以及用金属填充所述沟槽。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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