[发明专利]层压系统、IC薄片、IC薄片卷、以及IC芯片的制造方法有效
| 申请号： | 200580025879.4 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101002312A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 渡边了介;楠本直人;中村理 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;B29C65/02;G06K19/077;G06K19/07;B42D15/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 从衬底上剥离薄膜集成电路，并且为了提高制造产量有效地密封剥离的薄膜集成电路。本发明提供一种层压系统，包括：传送装置，用于传送提供有多个薄膜集成电路的衬底；第一剥离装置，用于将薄膜集成电路的第一表面结合到第一薄片构件，以从该衬底剥离该薄膜集成电路；第二剥离装置，用于将薄膜集成电路的第二表面结合到第二薄片构件，以从第一薄片构件剥离薄膜集成电路；和密封装置，用于在第二薄片构件和第三薄片构件之间插入该薄膜集成电路，以用第二薄片构件和第三薄片构件密封该薄膜集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 层压 系统 ic 薄片 以及 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种层压系统，包括：传送装置，用于传送提供有多个薄膜集成电路的衬底；第一剥离装置，用于将薄膜集成电路的第一表面结合到第一薄片构件，以从衬底剥离薄膜集成电路；第二剥离装置，用于将薄膜集成电路的相对第一表面的第二表面结合到第二薄片构件，以从第一薄片构件剥离该薄膜集成电路；和密封装置，用于将薄膜集成电路插入在第二薄片构件和第三薄片构件之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
