[发明专利]双掺杂多晶硅及锗化硅的蚀刻有效
| 申请号： | 200580015605.7 | 申请日： | 2005-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN1954416A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | C·R·科伊茨佐波洛斯;Y·Y·亚达姆斯;Y·米亚莫托;Y·K·塔洛 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/311;H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王庆海;陈景峻 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种用于在处理室中蚀刻衬底上的具有至少一个锗化硅层的叠层的方法。提供了锗化硅的蚀刻。将蚀刻剂气体提供到处理室中，其中蚀刻剂气体包括HBr、惰性稀释剂、以及O2与N2中的至少一种。将衬底冷却到40℃以下的温度。将蚀刻剂气体转换成等离子体，以蚀刻锗化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 多晶 锗化硅 蚀刻 | ||
【主权项】：
1、一种用于在处理室中蚀刻衬底上的具有至少一个锗化硅层的叠层的方法，包括提供锗化硅蚀刻，其包括：将蚀刻剂气体提供到处理室中，其中蚀刻剂气体包括HBr、惰性稀释剂、以及O2与N2中的至少一种；将衬底冷却到40℃以下的温度；并且将蚀刻剂气体转换成等离子体，以蚀刻锗化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
