[发明专利]垂直EEPROM NROM存储器件无效
| 申请号： | 200580011541.3 | 申请日： | 2005-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN1943028A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | L·弗尔伯斯 | 申请（专利权）人： | 微米技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了便于在NOR或NAND高密度存储结构中使用垂直NROM存储单元和选择门电路的NROM EEPROM存储器件和阵列。本发明的存储器实施例利用垂直选择栅和NROM存储单元来构成NOR和NAND NROM结构存储单元串、段以及阵列。这些NROM存储单元架构允许具有可利用形体尺寸半导体制造工艺的集成选择栅的经改进高密度存储器件或阵列通常能承受、并且不会遭受典型的多位NROM单元中的电荷分离问题。该存储单元架构通过将NROM存储单元置于将存储单元与其相关联的位/数据线和/或源线隔离的选择栅的后面，以允许减轻干扰及过度擦除问题。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 eeprom nrom 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，其特征在于，包括：NOR架构的NROM存储阵列，在具有多个支柱和相关联的居间沟槽的衬底上形成；以及多个存储单元结构，各个存储单元结构包括：NROM存储单元，其中所述NROM存储单元垂直地形成于沟槽的第一侧壁上；以及选择栅，其中所述选择栅形成于所述沟槽的第二侧壁上，并且其中所述选择栅通过在所述沟槽的底部上形成的第一源/漏区耦合到所述NROM存储单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
