[发明专利]用于提高匹配的防护环有效
| 申请号： | 200510109643.0 | 申请日： | 2005-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN1750252A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·C.·克尔;罗斯科·T.·卢斯;米奇立·M.·加米森;艾伦·S.·陈;威廉·A.·拉塞尔 | 申请（专利权）人： | 艾格瑞系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体的制造方法，包括形成一限定内部区域的调平防护环，其中构建有一个或多个器件。在一些实施例中在内部区域中构建两个或多个匹配器件，如具有同质心形式。该防护环形成在至少一特定层上用于特定工艺步骤。借助于该防护环压倒本地部件高度差别的影响，因此随后施加的光致抗蚀剂沿该内部区域具有非常均匀的高度，带来非常均匀的器件。在一些实施例中，包围不同的匹配器件阵列的多个防护环排列在半导体晶片的表面上，它们彼此分开以致于互不影响。基于各防护环的等同效应，排列在该内部区域的各器件更均匀地与位于远远分开的防护环中的等同器件相互匹配。这样，实现了本地和全局匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 匹配 防护 | ||
【主权项】：
1、一种在半导体晶片上制造集成电路的过程中，减小光致抗蚀剂在晶片上构图电路的第一指定区上的厚度变化的方法，包括步骤：a.在第一指定区周围形成第一调平防护环；和b.向晶片上施加光致抗蚀剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
