[发明专利]异构双极晶体及其制造方法

摘要

本发明的异构双极晶体的制造方法，首先是在基板上顺次沉积集接触层、集层、基本层、基本层保护层、发射极层、发射极接触层及钨硅膜。其后在钨硅层上形成抗蚀膜，以抗蚀图案为掩模进行钨硅层的图案形成。再后，以抗蚀图案为掩模，通过ICP(Inductively Coupled Plasma)方式的干蚀刻顺次除去发射极接触层和发射极层。

主权项

1.一种异构双极晶体的制造方法，其特征为：工序(a)，在基板上顺次沉积集层、基本层、基本层保护层、发射极层、发射极接触层及第1金属膜；工序(b)，上述工序(a)之后，在上述第1金属膜上的一部分形成第1抗蚀膜；工序(c)，上述工序(b)之后，将上述第1抗蚀膜作为掩模图案形成上述第1金属膜；工序(d)，上述工序(c)之后，将上述第1抗蚀膜作为掩模，以对发射极层的选择比高于上述发射极接触层为条件直至露出上述基本保护层为止进行干蚀刻，由此将上述发射极层的宽度加工的比上述发射极接触层窄；工序(e)，上述工序(d)之后，除去上述第1抗蚀膜露出上述第1金属膜；工序(f)，上述工序(e)之后，在上述第1金属膜上和上述基本保护层中的露出部分上开口形成第2抗蚀膜，沉积第2金属膜后，除去上述第2抗蚀膜和上述第2金属膜中的上述第2抗蚀膜上的部分。