[发明专利]一种近场光学增强型可见光探测器无效
| 申请号： | 200510093368.8 | 申请日： | 2005-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1921151A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 康亭亭;刘祥林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 段成云 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及光探测器技术领域，特别是一种近场光学增强型可见光探测器的器件结构。利用表面等离激元的近场光场增强效应，即表面等离激元，表面等离激元将光场限制在一个小的区域内，表面等离激元是光场在导体表面与载流子相互耦合形成的振荡波，来提高光吸收效率。本发明中表面等离激元的激发、耦合是通过具有周期性结构的金属薄膜来实现的，同时该金属薄膜又具有肖特基接触的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 近场 光学 增强 可见光 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种近场光学增强型可见光探测器，其特征在于，利用表面等离激元的近场光场增强效应，即表面等离激元，表面等离激元将光场限制在一个小的区域内，表面等离激元是光场在导体表面与载流子相互耦合形成的振荡波，来提高光吸收效率，表面等离激元的激发、耦合是通过具有周期性结构的金属薄膜来实现的，同时该金属薄膜又具有肖特基接触的功能。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510093368.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：应用于软性显示器的像素布局结构
- 下一篇：小型电子部件的保持器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
