[发明专利]利用连续还原和钝气电浆进行前处理来氧化导体层的方法无效
| 申请号： | 200510071917.1 | 申请日： | 2005-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1734740A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 彭兆贤;林俊成;谢静华;眭晓林 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种在含导体层铜上形成阻障层的方法，其中此含导体层铜会线经由一含氢电浆进行处理，再经由一含氩电浆进行处理，此阻障层可使用一化学气相沉积法，例如原子层沉积法，来加以形成，当此沉积方法使用金属和含碳物质作为源材料时，此二阶段的电浆前处理制程可让此阻障层具有改善的电性特性。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 连续 还原 钝气电浆 进行 处理 氧化 导体 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造微电子产品的方法，其特征在于其至少包括以下步骤：提供一基板，其中该基板具有一氧化的第一导体层；使用一还原电浆处理该第一导体层用以形成一还原电浆处理后的第一导体层；以及使用一钝气电浆处理该还原电浆处理后的第一导体层用以形成一经全处理后的第一导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
