[发明专利]薄膜边界和淀积速率计算的元胞自动机耦合方法有效
申请号: | 200510038643.6 | 申请日: | 2005-04-01 |
公开(公告)号: | CN1700410A | 公开(公告)日: | 2005-11-23 |
发明(设计)人: | 黄庆安;周再发;李伟华;徐大为 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B81C1/00;B81C5/00 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人: | 叶连生 |
地址: | 21009*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 薄膜边界和淀积速率计算的元胞自动机耦合方法是一种用于薄膜淀积过程模拟的薄膜边界和淀积速率计算的元胞自动机耦合方法,其方法是a、采用元胞自动机方法计算表面元胞的淀积速率,将淀积速率的计算简化为对一系列直线上的元胞单元材料性质的测试;b、薄膜淀积过程模拟过程中,采用元胞自动机方法进行薄膜边界计算与淀积速率计算,实现薄膜边界计算与淀积速率计算方法的完全耦合;满足以上两个条件的方法即视为该薄膜淀积过程模拟的薄膜边界、淀积速率计算的元胞自动机耦合方法。统一采用元胞自动方法完成薄膜边界计算和淀积速率的计算,可以快速、精确地模拟薄膜淀积过程。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 边界 速率 计算 自动机 耦合 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜边界和淀积速率计算的元胞自动机耦合方法,其特征在于a、采用元胞自动机方法计算表面元胞的淀积速率,将淀积速率的计算简化为对一系列直线上的元胞单元材料性质的测试:b、薄膜淀积过程模拟过程中,采用元胞自动机方法进行薄膜边界计算与淀积速率计算,实现薄膜边界计算与淀积速率计算方法的完全耦合:满足以上两个条件的方法即视为该薄膜淀积过程模拟的薄膜边界、淀积速率计算的元胞自动机耦合方法:本方法的步骤如下:a、输入将在其表面淀积薄膜的衬底的尺寸和形状,根据刻蚀模拟精度要求将衬底细分成小正方形组成的阵列,并采用二维矩阵来代表阵列,确定淀积薄膜材料、淀积工艺条件信息和总的淀积时间;b、根据衬底的尺寸和形状,以及一个元胞作为惠更斯源的条件,确定作为惠更斯源的表面元胞;c、采用元胞自动机方法计算得到作为惠更斯源的表面元胞的淀积速率,根据表面元胞的淀积速率大小,产生圆形惠更斯波;d、根据规则重新确定薄膜新表面上作为惠更斯源的表面元胞,并根据淀积得到的新的衬底形貌,重新采用元胞自动机方法计算得到作为不同惠更斯源的表面元胞对应的淀积速率,然后根据表面元胞的淀积速率大小产生圆形惠更斯波,这样重复薄膜的淀积过程,直到给定的淀积总时间结束。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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