[发明专利]薄膜边界和淀积速率计算的元胞自动机耦合方法有效

专利信息
申请号: 200510038643.6 申请日: 2005-04-01
公开(公告)号: CN1700410A 公开(公告)日: 2005-11-23
发明(设计)人: 黄庆安;周再发;李伟华;徐大为 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;B81C1/00;B81C5/00
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人: 叶连生
地址: 21009*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 薄膜边界和淀积速率计算的元胞自动机耦合方法是一种用于薄膜淀积过程模拟的薄膜边界和淀积速率计算的元胞自动机耦合方法,其方法是a、采用元胞自动机方法计算表面元胞的淀积速率,将淀积速率的计算简化为对一系列直线上的元胞单元材料性质的测试;b、薄膜淀积过程模拟过程中,采用元胞自动机方法进行薄膜边界计算与淀积速率计算,实现薄膜边界计算与淀积速率计算方法的完全耦合;满足以上两个条件的方法即视为该薄膜淀积过程模拟的薄膜边界、淀积速率计算的元胞自动机耦合方法。统一采用元胞自动方法完成薄膜边界计算和淀积速率的计算,可以快速、精确地模拟薄膜淀积过程。
搜索关键词: 薄膜 边界 速率 计算 自动机 耦合 方法
【主权项】:
1.一种薄膜边界和淀积速率计算的元胞自动机耦合方法,其特征在于a、采用元胞自动机方法计算表面元胞的淀积速率,将淀积速率的计算简化为对一系列直线上的元胞单元材料性质的测试:b、薄膜淀积过程模拟过程中,采用元胞自动机方法进行薄膜边界计算与淀积速率计算,实现薄膜边界计算与淀积速率计算方法的完全耦合:满足以上两个条件的方法即视为该薄膜淀积过程模拟的薄膜边界、淀积速率计算的元胞自动机耦合方法:本方法的步骤如下:a、输入将在其表面淀积薄膜的衬底的尺寸和形状,根据刻蚀模拟精度要求将衬底细分成小正方形组成的阵列,并采用二维矩阵来代表阵列,确定淀积薄膜材料、淀积工艺条件信息和总的淀积时间;b、根据衬底的尺寸和形状,以及一个元胞作为惠更斯源的条件,确定作为惠更斯源的表面元胞;c、采用元胞自动机方法计算得到作为惠更斯源的表面元胞的淀积速率,根据表面元胞的淀积速率大小,产生圆形惠更斯波;d、根据规则重新确定薄膜新表面上作为惠更斯源的表面元胞,并根据淀积得到的新的衬底形貌,重新采用元胞自动机方法计算得到作为不同惠更斯源的表面元胞对应的淀积速率,然后根据表面元胞的淀积速率大小产生圆形惠更斯波,这样重复薄膜的淀积过程,直到给定的淀积总时间结束。
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