[发明专利]一种高压电平转换电路无效
申请号: | 200510024165.3 | 申请日: | 2005-03-02 |
公开(公告)号: | CN1829089A | 公开(公告)日: | 2006-09-06 |
发明(设计)人: | 黄树良;班福奎 | 申请(专利权)人: | 技领半导体(上海)有限公司;技领半导体国际有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201203上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于半桥驱动电路的单端高压电平转换电路,它可以减少(节约)芯片版图面积,进而可以降低(节约)了芯片成本,减少芯片功耗。这种高压电平转换的电路,它至少包括:一个高压DMOS管(DM1),作为开关,在所述高压DMOS管(DM1)栅极输入低压控制信号,在所述高压DMOS管(DM1)漏极连接有一个高压解码电路(14),用于对高压DMOS管(DM1)漏极输出的信号进行解码。通过控制DMOS管来实现低压信号至高压信号的转换,再通过高压解码电路对转换后的信号进行解码,从而得到高压输出信号,所述的高压解码电路主要是利用两个触发器的上升沿触发来实现电路的功能。 | ||
搜索关键词: | 一种 高压 电平 转换 电路 | ||
【主权项】:
1、一种高压电平转换电路,其特征在于,它至少包括:一个高压DMOS管(DM1),作为开关,一个输入到所述高压DMOS管(DM1)栅极的低压控制信号,一个联接到所述高压DMOS管(DM1)漏极的高压解码电路(14),用于对高压DMOS管(DM1)漏极输出的信号进行解码。
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