[发明专利]一种测定磁性半导体载流子迁移率的新方法无效
| 申请号： | 200510016187.5 | 申请日： | 2005-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN1971295A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 杨瑞霞;杨帆 | 申请（专利权）人： | 杨瑞霞 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300130天津市红桥区丁*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明是一种磁性半导体载流子迁移率的测定方法，主要解决磁性半导体材料中由于异常霍尔效应的存在，测定非磁性半导体载流子浓度和迁移率普遍使用的霍尔效应测量迁移率方法对其不再适用。据查文献资料，目前没有可靠测量磁性半导体载流子迁移率的方法。本发明提出将电化学C－V方法和范德堡方法(不需加磁场)相结合，用电化学C－V方法测定磁性半导体载流子浓度，用范德堡方法测定电阻率，然后根据载流子浓度、电阻率与载流子迁移率之间的关系，确定磁性半导体的载流子迁移率。本方法不涉及霍尔测量，避开了异常霍尔效应的影响，具有不需要特制设备、操作方便及测量准确等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测定 磁性 半导体 载流子 迁移率 新方法 | ||
【主权项】：
1.本发明属于一种半导体材料参数的测量方法，主要涉及磁性半导体载流子迁移率的测定。其特征就是将电化学C-V方法和范德堡方法(不需加磁场)相结合，可测定磁性半导体载流子迁移率。
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