[发明专利]含银热电化合物无效

专利信息
申请号: 200480029062.X 申请日: 2004-08-25
公开(公告)号: CN1864278A 公开(公告)日: 2006-11-15
发明(设计)人: 默库里·卡纳特齐迪斯;许桂芳 申请(专利权)人: 密歇根州州立大学托管委员会
主分类号: H01L35/20 分类号: H01L35/20;H01L35/14
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 孟凡宏
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种通式为Ag1-xMmM’Q2+m的热电材料,其中M选自Pb、Sn、Ca、Sr、Ba、二价过渡金属和其组合;M’选自Bi、Sb和其组合;Q选自Se、Te、S、和其组合;8≤m≤24;且0.01≤x≤0.7。在本发明实施方案中,所述组合物显示n-型半导体特性。在优选实施方案中,x为 0.1-0.3,且m为10-18。可以通过将化学计量量的含有Ag、M、M’、和Q的初始材料添加到反应器中,加热所述初始材料到一定并保持一段时间以便足以熔融所述材料,并且以控制的冷却速率冷却反应产物,合成该组合物。
搜索关键词: 热电 化合物
【主权项】:
1.一种通式为Ag1-xMmM’Q2+m的半导体材料,其中:(a)M为至少一种选自Pb、Sn、Ca、Sr、Ba、二价过渡金属、和其组合的元素;(b)M’为至少一种选自Bi、Sb、和其组合的元素;(c)Q为至少一种选自Se、Te、S、和其组合的元素;和(d)8≤m≤24,且0.01≤x≤1。
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