[实用新型]氮化镓系发光二极管的构造无效
| 申请号： | 200420092593.0 | 申请日： | 2004-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN2783535Y | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | 赖穆人 | 申请（专利权）人： | 炬鑫科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种氮化镓系发光二极管的构造，它的主要构造包括有一基板、一n型氮化镓系层、一发光层、一p型氮化镓系层、一织状纹路层、一p型氮化镓系层、一导电透光氧化层、一第一电极及一第二电极；n型氮化镓系层是位于该基板的上方，且具有表面织状化的欧姆接触区域；发光层是位于该n型氮化镓系层的上方；p型氮化镓系层是位于该发光层的上方；织状纹路层是位于p型氮化镓系层的上方；导电透光氧化层是位于织状纹路层的上方，并与织状纹路层形成欧姆接触；第一电极是与n型氮化镓系层具表面织状化的欧姆接触区域电性耦合；第二电极是与导电透光氧化层电性耦合。具有增加其光的萃取效率的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 构造 | ||
【主权项】：
1、一种氮化镓系发光二极管的构造，其特征是：它的主要构造包括有一基板、一n型氮化镓系层、一发光层、一p型氮化镓系层、一织状纹路层、一p型氮化镓系层、一导电透光氧化层、一第一电极及一第二电极；该n型氮化镓系层是位于该基板的上方，且具有表面织状化的欧姆接触区域；该发光层是位于该n型氮化镓系层的上方；该p型氮化镓系层是位于该发光层的上方；该织状纹路层是位于该p型氮化镓系层的上方；该导电透光氧化层是位于该织状纹路层的上方，并与该织状纹路层形成欧姆接触；该第一电极是与该n型氮化镓系层具有表面织状化的欧姆接触区域电性耦合；该第二电极是与该导电透光氧化层电性耦合。
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