[实用新型]薄膜晶体管液晶显示器的像素结构无效
| 申请号： | 200420077124.1 | 申请日： | 2004-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN2724041Y | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 黄茂村 | 申请（专利权）人： | 广辉电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡洪贵 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构，其包括一薄膜晶体管、一像素电极图案以及一保护层。其中薄膜晶体管配置在一基板的表面上，且薄膜晶体管包括一闸极图案、配置在闸极图案上的一闸绝缘层、覆盖在闸绝缘层上的一半导体层以及形成在半导体层上的一源极图案与一汲极图案。像素电极图案配置在基板的表面，且此像素电极图案与上述薄膜晶体管的汲极图案电性接触。另外，保护层覆盖住薄膜晶体管，并暴露出上述像素电极图案。根据本实用新型，仅需进行四道光罩制造过程即可以完成像素结构的制作，其较传统五道光罩制造过程可以减少一道光罩数，因此具有增加产能以及降低成本的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 液晶显示器 像素 结构 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构，其特征在于，包括：一薄膜晶体管，配置在一基板的表面上，该薄膜晶体管由一闸极图案、配置在该闸极图案上的一闸绝缘层、覆盖在该闸绝缘层上的一半导体层以及形成在该半导体层上的一源极图案与一汲极图案所构成；一像素电极图案，配置在该基板的表面，且该像素电极图案与该薄膜晶体管的该汲极图案电性接触；以及一保护层，覆盖住该薄膜晶体管，并暴露出该像素电极图案。
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